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华为出手第三代半导体材料 性能实现千倍提升
发布时间:2019-08-27 10:59:30
华为出手第三代半导体材料 性能实现千倍提升
出自:中国证券网
华为出资7亿元全资控股,刚刚于今年4月23日成立的哈勃科技投资有限公司近日出手,投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股达10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。

华创证券认为,我国及全球5G网络正在大规模建设中。大数据传输、云计算、AI技术、物联网,包括下一步的能源传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的市场需求非常大。而硅材料的负载量已到达极限,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。

而碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”,是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后,将打破国外垄断,推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。 
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