意法半导体首批8英寸碳化硅晶圆问世，SiC热度高涨！

来源：化合物半导体市场

    7月27日，意法半导体（简称ST）官微宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸SiC晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

                                                                                                          图片来源：ST官微

    意法半导体的首批8英寸SiC晶圆片性能良好，缺陷率较低，主要源于其收购的Norstel公司在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累。除了晶圆片满足严格的质量标准外，SiC晶圆升级到8英寸还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换，因此意法正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。

    目前意法半导体的SiC量产产品STPOWER SiC在卡塔尼亚（意大利）和宏茂桥（新加坡）两家6英寸晶圆厂完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中国）和布斯库拉（摩洛哥）的两家封测厂进行的。

    SiC功率器件的整体性能指标远超硅基，目前影响其大规模应用的核心障碍还是价格太高。短期来看，4/6英寸晶圆能够带来的成本优化速度有限，迅速切入8英寸则是实现成本降低的最佳方案。

    另一方面，目前核心SiC器件玩家仍然是意法、安森美、英飞凌、CREE等大型IDM企业和博世这样传统的汽车产业链企业，材料、器件设计、器件制造的市场集成度中短期内非常高。因此，主流大厂对8英寸产品的迅速导入，能大力推动整个SiC产业发展。

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