台积电、ASML...这些半导体厂商动作频频

台积电：或1万亿新台币扩产2nm

近期相关报道显示，台积电在2nm和3nm工艺的开发上取得了不错的进展，且台积电方面将准备研发1.4nm工艺。

2nm工艺方面

2nm工艺方面，据中国台湾经济日报报道，台积电将砸1万亿新台币（约2290亿元人民币）在台中扩大2nm产能布局，有望在中清乙工建设半导体产业链园区。目前，台积电正向相关部门提出设厂用地需求。

此前，台积电总裁魏哲家在法说会上表示，台积电2nm预期会是最成熟与最适合技术来支持客户成长，台积电目标是在2025年量产。

据悉，台积电将在2nm的节点推出Nanosheet/ Nanowire的晶体管架构，另外还将采用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等，其中2D材料方面，台积电已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐渐用在晶体管上。

3nm工艺方面

3nm工艺上，台积电今年4月上旬公开表示，该公司在3nm工艺开发上取得突破。其中在今年8月将可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度将有可能量产3nm制程的N3E，比预计提前了半年。

据悉，第二版3nm制程N3B，将在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。据悉，台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。

此外，台积电打算在6月份将其N3制程节点的团队做重新分配，以组建1.4nm级制造工艺的研发队伍。

三星：加快3nm量产速度

近日，三星芯片及代工高层大洗牌，目前三星电子已撤换负责开发下一代芯片的半导体研发中心负责人，新的负责人由副总裁兼Flash开发部门负责人Song Jae-hyuk 担任。

晶圆代工业务方面，三星指派半导体设备解决方案部门的全球制造与基础设施副总裁Nam Seok-woo兼任晶圆代工制造技术中心负责人，同时还任命存储器制造技术中心副总裁Kim Hong-shik带领晶圆代工技术创新团队。

2021年底，三星曾全面撤换半导体、手机、消费电子三大事业主管，并将手机及消费电子事业合并，将经营重心转向半导体。时隔半年，三星又将内存业务大将部署至晶圆代工事业，积极推进晶圆代工事业发展。

三星的代工业务备受压力。此前，业内传出三星4nm工艺良率只有35%，使得高通、英伟达、AMD等厂商将部分产品交由台积电代工。

目前三星正加快3nm量产速度。今年4月末三星宣布将在本季度开始使用3GAE（早期3nm级栅极全能）工艺进行大规模生产。近日，官方消息显示，预计最快今年6月量产3nm制程。

三星集团5月24日发表声明表示，计划在截至2026年的五年内，将支出增加30%以上，达到450万亿韩元（约合3600亿美元），以支持从芯片到生物制药等领域的业务。

ASML：2亿美元扩建威尔顿工厂

近日，ASML宣布将斥资2亿美元扩建其位于康涅狄格州威尔顿的工厂。据悉，ASML Wilton是ASML在美国最大的研发和制造基地。

随着英特尔、三星、台积电等晶圆代工厂大幅扩产，对于设备的需求也水涨船高。据悉，ASML扩产的脚步早已迈开。

在今年Q1财报会议上，ASML表示，随着第二季度芯片制造设备的市场需求超过供应量，将上调长期营收预期，维持今年20%的营收增幅和55台极紫外光科技的产能预期不变，并表示，2025年将能生产70多部极紫外光刻机。

3月下旬，ASML在其新加坡工厂的开幕式上宣布，将继续在该工厂兴建第二座制造车间，预计将于2023年初投产。扩建后的工厂将让该公司在新加坡的产能增加3倍，全球产能倍增。

5月下旬，ASML正在着手研发价值4亿美元（约合人民币26.75亿元）的新旗舰光刻机，有望2023年上半年完成原型机，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出货。

电装：将自产半导体销售额增加两成

丰田汽车集团旗下电装公司公布新的目标，称到2025年把本公司生产的半导体销售额从现在的4200亿日元增加两成至5000亿日元（约合人民币257亿元）。公司生产将重视控制电力的“功率半导体”和用于监控电池等的“模拟半导体”领域，今后还将推进面向自动驾驶的传感器开发。

据报道，为实现半导体的稳定采购，电装还将深化与专业厂家等的合作。据悉，今年2月，为稳定采购半导体，电装宣布将向台积电（TSMC）为进驻熊本县而设立的子公司出资。

此外，联电还曾宣布，公司日本子公司USJC将与电装（DENSO）合作车用功率半导体制造，并将为DENSO建设一条IGBT产线。

其中，DENSO将提供其系统导向的IGBT元件与制程技术，而USJC则提供12英寸晶圆厂制造能力，预计在2023年上半年达成IGBT制程在12英寸晶圆的量产。这项合作已获

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