第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源...
我们今天使用的几乎所有设备都依赖于半导体。新的技术进步和要求要求要求在许多要求苛刻的半导体应用中使用碳化硅（SiC）。由于其物理和电子特性，基于SiC的设备非常适合高温和高功率/高频电子设备，从而实现电动...
在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2年内翻一番”的预测（俗称“摩尔定律”）...
半导体是电子信息产品的“心脏”，在国民经 济和社会生活各方面的应用越来越广泛，对国家经 济成长、国防安全、核心竞争力提升至关重要 ， 促进了通信、计算、医养健康、军事系统、物流、 新能源行业的发展，...
一、WLP晶圆级封装VS传统封装在传统晶圆封装中，是将成品晶圆切割成单个芯片，然后再进行黏合封装。不同于传统封装工艺，晶圆级封装是在芯片还在晶圆上的时候就对芯片进行封装，保护层可以黏接在晶圆的顶部或底部...
IGBT芯片与芯片的电极端子间，IGBT芯片电极端子与二极管芯片间，芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。通过键合线使芯片间构成互连，形成回路。引线键合是IGBT功率器件内部实现电气互连的...
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