近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？...
当前，金刚石的市场应用大致可分成三个方向，一是可以用作装饰钻石，相关用途人们较为熟悉；二是可以做成金刚石膜，这是一种优质的散热材料；三是经掺杂以后形成半导体材料。这一应用领域尚处于实验阶段，但其发...
碳化硅介绍碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压...
碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。第一部分，晶圆加工首先，以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC，通过物理气相传...
以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展在新能源汽车等领域风头正劲之时，一种更耐高温耐高压、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半导体材料——氧化镓走进业界视线。短短4-5年时间，氧化镓已经出现了高质量的衬...
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