湖南德智新材料半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设

在新马工业园内，湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产，一项“卡脖子”的高精尖技术，即将在株洲顺利实现产业化。

SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材，在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来，围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节，但因其技术壁垒高，长期被美、日、德等国所垄断，一直是被“卡脖子”的关键材料之一。

湖南德智新材料有限公司董事长柴攀表示，此次半导体用碳化硅蚀刻环项目，总投资约2.5亿元，主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造，投产后年产值超1亿元。

2018年，德智新材落户动力谷自主创新园。随后，其自主设计的国内最大化学气相沉积设备完成调试投入使用。这个设备能在高温、高真空环境下合成镜面纳米碳化硅涂层。目前，“德智新材”成为国内最大单晶太阳能生产企业——隆基股份等龙头企业的供货商，并与吉林大学、中南大学等知名高校建立长期合作关系。

“该项目对于国内外的该产品领域来说，都有着一定的前瞻性和拓展性。”业内人士分析认为，此项目技术含量高、成长能力强、经济效益好，对突破国外的技术封锁，进一步推动国内半导体产业转型升级、壮大株洲经济规模具有十分重大的意义。

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