延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破

据媒体报道，日前，一支由南洋理工大学、北京大学、清华大学和北京量子信息科学研究院的研究人员最近展示了利用范德华力成功地将单晶滴定锶一种高K钙钛矿氧化物）与二维半导体集成，这种方法可以为开发新型晶体管和电子元件开辟新的可能性。

据悉，晶滴定锶是一种钙钛矿氧化物，此前已发现将钙钛矿氧化物与具有不同原子结构的材料结合起来几乎是不可能的。但该团队采用的智能方法成功绕过这一限制，可以实现几乎无限的材料组合。

研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。

值得一提的是，除了国内多所高校参与的2D半导体项目实现了新的突破之外，韩国在该领域的发展也迎来了新的进展。

近日，韩国科学技术研究院（KIST）宣布，由光电材料与器件中心的Do Kyung Hwang博士和物理系的Kimoon Lee教授领导的联合研究小组通过开发新型超薄电极材料（Cl-SnSe2），成功实现了基于二维半导体的电子和逻辑器件，其电气性能可以自由控制。

这项研究攻克了费米能级钉扎（Fermi-level pinning）现象下，传统二维半导体器件很难实现互补逻辑电路的难题（仅表现N型或P型器件的特性）。利用这种新的电极材料，单个器件可以同时实现N型和P型器件的功能，从而形成一种高性能、低功耗、互补逻辑的逻辑电路。

Do Kyung Hwang博士预计，这种新型的二维电极材料非常薄，具有高透光率和柔韧性，因此，它们可应用于下一代柔性透明半导体器件中。而这一发展将有助于加速人工智能系统等下一代系统技术的商业化。

声明：本文版权归原作者所有，转发仅为更大范围传播，若有异议请联系我们修改或删除：zhangkai@cgbtek.com