SK海力士成功研发新存储芯片处理速度提升50%

出自：韩国中央日报中文网

SK海力士8月12日宣布，公司开发出了业界处理速度最快的新一代存储芯片HBM新产品“HBM2E”(见照片)。HBM是高带宽存储器(High Bandwidth Memory)的缩写，数据处理速度比传统的DRAM有了革命性提升。

SK海力士当日宣布开发成功的HBM2E数据处理速度比之前的规格(HBM2)快50%，每秒可处理460GB数据，相当于每秒可处理124部高清电影(3.7GB)。

HBM2E的超快数据处理速度可以广泛应用到需要高性能数据处理的图形处理(GPU) 机器学习 、超级计算机、人工智能(AI)等新技术领域。

不同于传统DRAM，HBM是将半导体本身以数十微米(1微米等于一百万分之一米)的间距贴附在逻辑芯片上，可以无需母版，缩短芯片之间的距离，从而提高数据处理速度。

SK海力士HBM事业战略负责人全俊贤(音)表示，“将从HBM2E市场正式打开的2020年开始量产，强化在高端存储芯片市场的领先优势”。