人民日报、中央电视台等媒体缘何关注55所第三代半导体进展

7月7日，人民日报《党建聚合力 科技攀高峰》报道了55所以党建引领推动第三代半导体发展的典型做法；9月19日，央视《非凡十年看名企》专题报道了55所SiC器件领域取得的重要突破，以及产品在新能源汽车上批量应用情况；7月25日，新华日报关注报道了55所第三代半导体在载人航天领域的应用；7月25日，南京日报头版专题报道了55所SiC器件进展，4月28日，探秘依托55所建设的宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室……

人民日报、央视等媒体关注55所第三代半导体进展，这离不开55所对这一领域二十年如一日的不懈攻关，得益于科学的规划引领，得益于在解决关键芯片急需时挺身而上。

SiC属于第三代半导体，具有禁带宽度大、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿以及抗辐射能力强等优越性能。用其制作而成的高温、高频、高压和大功率电力电子器件，能够满足国防装备、新能源发电、电动汽车、轨道交通、智能电网等领域迫切需求。

紧盯前沿技术，自2000年起，55所便开始了SiC微波功率器件的系统研究，是国内最早研究和布局SiC电力电子器件领域的企业之一，形成了深厚的技术积淀。国内第一片3寸SiC MESFET结构外延片、第一只具有微波特性的SiC MESFET微波功率器件、第一块SiC MESFET功率MMIC等多个“第一”均诞生在这里。基于SiC微波器件的研究基础，55所及时开展了高压SiC 电力电子器件研究，在国内率先研制出高压、高性能SiC 二极管、JFET、MOSFET、IGBT等系列产品。

回顾SiC专业发展，中国电科首席专家柏松说：“从预研项目做起，到重大专项，到工程化、产业化应用，一步一个脚印。55所一开始就从整体技术链和产业链视角出发，制定了从外延材料、SiC芯片到模块的一整套联合攻关计划方案，系统开展了技术研发。并积极推动科研成果产业化发展，拓展SiC器件技术的应用领域。”

二十余年行耕不辍。55所坚持规划引领、系统布局，对标国际先进水平，加强科研投入、人才团队等资源配置，强化应用基础研究，着力建立成套具有自主知识产权的SiC器件技术体系，不断提高工艺水平和制造能力，加快SiC功率电子器件与模块的产业化步伐，逐步实现产品在新能源、高压电源等多领域批量应用，趟出了一条创新驱动、规模发展的道路。

在初期，55所通过自筹经费开展材料和器件基础性研究工作。后来陆续承担了SiC领域国家重点专项、科技部重点研发计划与攻关项目、工信部产业化项目、江苏省重大攻关任务以及关键技术核心攻关产业化项目等重大项目，先后解决了系列工艺技术难题。并持续加大科研经费投入，从建立国内第一条3英寸宽禁带半导体研发工艺线，到建立第一条6英寸SiC电力电子器件生产线，历经二十余年的努力，推动形成了覆盖外延材料、器件设计、芯片制造、模块封装的自主完整产业链布局。

SiC器件是国防装备、汽车电子等系统的核心关键元器件，是保障国防和军队现代化建设、保障国家数字化转型建设和“双碳”战略目标实现的基础与关键。

聚焦国家战略需求，55所抢抓新基建、数字经济等发展机遇，加快新技术、新产品开发，持续加大关键核心技术攻关，突破了多项关键工艺。在国内率先突破6英寸SiC MOSFET批产技术，系列产品入选国有企业十大数字技术成果。同时，进一步完善了具有自主知识产权的SiC JBS、JFET、MOS等芯片工艺，形成了650V-6500V系列产品，批产与规模化应用能力进一步跃升。SiC器件产品率先在新能源汽车充电桩、高压电源、车载充电器、雷达电源等领域实现工程应用。

解决国家关键芯片急需，护航数字经济发展安全，55所始终勇立潮头。新能源汽车是SiC器件的主要应用场景之一，能够使新能源汽车系统效率更高、重量更轻、结构更紧密，有助于节省成本和提升续航里程。但近年来，国内新能源汽车面临缺“芯”断供问题。

“解决国内SiC电力电子器件自主保障问题，时不我待。我们迅速与新能源汽车企业对接，开展产品验证。虽然面临很大挑战，但大家迎难而上，经过反复迭代，解决了一系列技术瓶颈问题，大幅提升了典型产品良率，保障了器件供应。”55所主管设计师李士颜表示。

突出补链强链，55所发挥自身优势，在车规级SiC器件领域率先取得重要突破。SiC MOSFET器件在新能源汽车上批量应用，满足百万辆车载充电装置应用需求，有力化解汽车“缺芯”难题，保障汽车电子产业链供应链安全。与此同时，聚焦雷达电源、船舶动力、机载电源、特种车辆控制器、辐射探测等领域，主动承担重大工程任务，SiC MOSFET和SBD全力保障重点装备配套需求。

从“0到1”的原始创新，到“1到10”的成果转化，再到“10到100”的产业化应用，这是55所SiC器件历经的发展过程。

二十年磨一剑，一路走来并不容易。从基础研究做起，SiC研发团队经过十年如一日的坚守拼搏，倾注了无数心血，陆续攻破一系列关键核心技术，建立了全链条自主工艺线，并形成了相关小批量产品，在工业电源领域进行应用。但随着产品技术研发的深入，SiC成品率急需提升，一系列问题摆在团队面前。新方向承载新希望，也承受着新的巨大压力。大家明白，虽然SiC器件前景亮丽，但是撬动市场的是创新的系统设计及规模化应用水平，而绝非对第一代Si器件简单的原位替换。研发团队保持着“甘坐冷板凳”的定力，坚持不懈投入到关键技术攻关之中，不断提高工艺平台稳定性，以一往无前的勇气与担当加快SiC器件与模块的产业化步伐。

中央电视台重点关注了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室建设情况。自2015年成立以来，起初实验室研发的产品只是应用在电源等工业领域，直到这两年，才逐步应用到新能源汽车等领域，并实现了批量生产和商用。国家重点实验室研究团队，也从2015年的50人，扩张到了100多人。他们先后攻克了高效、高频、高功率等技术难题，解决了产业化相关共性关键技术问题, 为SiC电力电子器件技术快速发展作出了重要贡献。

打造原创技术策源地，引领推动第三代半导体技术发展。如今，国家第三代半导体技术创新中心（南京）已实体化运行，正着力加强原创性、引领性科技攻关，建设世界一流的研发中试平台和科技服务共享平台，为行业提供更多源头技术供给，推动产业链向高端跃升，助推我国产业基础高级化、产业链现代化。

胸怀国之大者，勇攀科技高峰。未来，55所将保持定力、抓住机遇，深度融入新基建、“双碳”等国家重大战略，加大关键核心技术攻关力度，引领第三代半导体和新一代半导体技术发展，支撑高水平科技自立自强，充分彰显“军工电子主力军、网信事业国家队、国家战略科技力量”的使命担当。

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