碳化硅行业分析报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起

1、碳化硅性能优势突出

主流半导体采用硅材料，射频、功率、光通信等特殊应用对半导体材料提出特殊需求。SiC 是制 作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导 体材料。

1.1、SiC性能优势显著

同半导体材料硅（Si）相比，其禁带宽度是硅（Si）的 3 倍，击穿电压是其 8-10 倍，导热率是其 3-5 倍，电子饱和漂移速率是其 2-3 倍。

SiC 在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压方面，SiC 阻抗更低，禁带宽度更宽， 能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率；耐高频方面，SiC 不存在电流 拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的 3-10 倍，从而适用于更高频率和更 快的开关速度；耐高温方面，SiC 拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下 工作。因此，SiC 能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，有望成为未来最 被广泛使用的半导体芯片基础材料。SiC主要用于功率或射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、 风电、轨道交通等等电力电子领域。其中，新能源汽车领域，功率半导体主要应用于电机控制器、 DC/DC 变换器、车载充电机、压缩机、水泵、油泵，同时还应用于配套充电桩。

1.2、SiC衬底价值量最大，6英寸晶片成为主流

SiC 产业链主要包括上游衬底、中游外延、下游器件制造和模块封装，产业链价值量倒挂，其中 衬底制造技术壁垒最高、价值量最大，是未来 SiC 大规模产业化推进的核心。

衬底：最为核心的环节，价值量最高，约为 46%。根据电阻率的不同，可分为导电型和半绝 缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法（PVT） 生长 SiC 晶锭，之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成衬底，其中晶体的 生长为核心工艺，核心难点在于提升良品率。晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难 度越大，长晶技术壁垒高，毛利率可达 50%左右。外延：价值量占比约23%，是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电 型 SiC 衬底用于 SiC 外延，生产功率器件，应用于电动汽车和新能源领域；半绝缘型 SiC 衬 底用于氮化镓外延，生产射频器件，应用于 5G 通信等领域。

器件制造及模块封装：价值量占比约 20%，产品包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、全 SiC 模 块、SiC 混合模块。应用：依据电阻率区分，导电型 SiC 器件主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、充电桩等领 域；半绝缘 SiC 器件主要用于 5G 通信、数据传输、航空航天、国防军工等领域。

半绝缘型 SiC 衬底市场增长迅速，6 英寸晶片成为发展趋势。受益于 5G 基建加快布局和全球地 缘政治动荡，半绝缘型 SiC 衬底市场增长空间巨大。根据 Yole 数据，2020 年全球半绝缘型 SiC 衬底市场规模为 1.8 亿美元，较 2019 年同比增长 18%。此外，根据中国宽禁带功率半导体及应 用产业联盟数据，2020 年全球 4 英寸半绝缘型 SiC 晶片的市场需求约 4 万片，6 英寸约 5 万片， 两者需求占比不相上下；预计到 2025 年，4 英寸市场需求将减少至 2 万片，6 英寸成为发展趋势。

导电型 SiC 衬底市场发展前景良好，6 英寸衬底占据绝大部分市场份额。受下游民用领域的持续 景气，如新能源汽车与光伏，导电型 SiC 衬底市场规模不断扩容。根据 Yole 数据，2018 年，全 球导电型 SiC 衬底市场规模为 1.7 亿美元，2020 年增长至 2.8 亿美元，复合增长率为 26%。根据 中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据，全球 6 英寸导电型衬底需求从 2020 年的超 8 万片增 长至 2025 年的 20 万片，而 4 英寸产品将逐步退出市场。

SiC 主流大厂正陆续推出 8 英寸晶圆片。当前，全球市场上 6 英寸 SiC 衬底已实现商业化，主流 大厂也陆续开始推出 8 英寸样品。SiC 晶圆尺寸的扩大不仅可以降低生产成本，而且有利于保持 晶圆几何形状，减少边缘翘曲，提升晶圆生产的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圆 样品的制样，意法半导体在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圆片。预计 2023 年开 始，各大厂商将逐渐量产 8 英寸衬底，并继续提高外延和器件方面产能及良品率。随着 6 英寸衬 底、外延晶片质量提高，8 英寸产线实现规模化生产，SiC 器件和模块逐渐普及为电动汽车主流配 置，规模效应增大，成本可得到有效降低。

1.3、SiC价格呈下降趋势，渗透率有望随之提升

目前，SiC 衬底成本高/制作难、长晶速度慢、损失率高导致了器件的高成本，影响了 SiC 器件的 渗透率。根据我国第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）数据显示，SiC 功率器件最主要 的原材料成本——SiC 衬底、外延片的价格近年来持续下降，原因有：第一，伴随大直径衬底占比不断提高，衬底单位面积生长成本下降；第二，单晶的平均可用厚度仍会持续增加，这将不断 降低单位面积衬底成本；第三，衬底质量和晶片供货量的提高，以及外延晶片成品率的提高，推 动 SiC 器件成本逐步降低。未来 SiC 各环节成本有望持续下降，并迎来对于下游产业的加速渗透。

2、欧美厂商高度垄断，国内厂商潜力巨大

Wolfspeed 垄断 SiC 器件与外延片市场，欧美企业主导 SiC 器件市场。从衬底到器件环节，目前 以 Wolfspeed、ST 及罗姆等海外头部企业占据产业链主要份额。其中，因布局较早，良率与产能 规模全球领先，在 SiC 衬底及外延片市场 Wolfspeed 一家独大。下游器件领域，欧美日企业领先， 整体市占率达到 95%，意法半导体作为特斯拉 SiC 功率器件的第一梯队供应商，市场占有率排名 第一，达到 41%。

国际主流厂商大幅扩产，释放抢占 SiC 市场信号。国际企业大力完善第三代半导体产业布局，计 划大幅扩产来强化竞争优势，以抢夺日渐增长的市场份额。安森美表示 22 年要将 SiC 产能扩充 4 倍；意法半导体计划到 2024 年将 SiC 晶圆产能提高到 2017 年的 10 倍，SiC 营收将达到 10 亿美 元。在国际大厂加速扩产的背景下，SiC 产业格局逐渐迎来空前重构和变化。

国内厂商加速布局，发展空间巨大。国内企业也在积极研发和探索 SiC 器件的产业化，已经形成 相对完整的 SiC 产业链体系，部分产业节点已有所突破。SiC 衬底方面，天岳先进在半绝缘 SiC 衬底的市场占有率连续三年保持全球前三；天科合达在国内率先成功研制 6 英寸 SiC 衬底，并已 实现 2-6 英寸 SiC 晶片的规模化生产和器件销售。SiC 外延片方面，厦门瀚天天成与东莞天域可 生产 2-6 英寸 SiC 外延片。SiC 器件方面，国内厂商主要有泰科天润、瀚薪、扬杰科技、中电 55 所、中电 13 所、科能芯、中车时代电气等。模组领域，目前 SiC 市场斯达半导、河南森源、常州 武进科华、中车时代电气处于起步阶段。中国厂商在围绕 SiC 衬底生产上正在缩短与国外差距， 未来若能在 6 英寸和 8 英寸的 SiC 晶圆良率和成本上进一步实现突破是竞争的关键。

3、新能源革命来临，SiC器件迎风而起

全球 SiC 器件市场发展迅猛，2025 年有望增长至 26 亿美元。受益于 5G 通信、国防军工、新能 源汽车和新能源光伏等领域的发展，SiC 器件市场规模增速可观。Yole 数据显示，2019 年全球 SiC 功率器件市场规模为 5.4 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.6 亿美元，CAGR 约 30%。整体 电动车相关领域（主逆变器+OBC+DC/DC 转换器）SiC 市场规模有望在 25 年达到 15.5 亿美元， 19-25 年 CAGR 为 38%；而电动车充电基础设施领域 SiC 增长最快，19-25 年 CAGR 为 90%。

3.1、新能源车是SiC器件的核心驱动力

全球新能源汽车终端需求火热，车用 SiC 晶圆需求攀升。根据 EVTank 数据显示，全球新能源汽 车 2025 年销量将达到 1800 万辆，19-25 年 CAGR 为 42%。随着新能源车渗透率不断升高，以及 整车架构朝 800V 高压方向迈进，SiC 器件在车载逆变器等领域有望迎来规模化发展。据 TrendForce 数据显示，预估 2025 年全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求可达 169 万片，21- 25 年 CAGR 为 94%。

国内新能源车市场规模快速增长，SiC 功率器件有望进一步突破。IDC 预计,2022 年中国新能源车 市场规模将达到 523 万辆，同比增长 47.2%。2025 年新能源车市场规模有望达到约 1,299 万辆， 2021-2025 年复合增长率约为 38%。根据 DIGITIMES Research 预测，2025 年电动汽车用 SiC 功率半导体将占整车用功率半导体的 37%以上，高于 2021 年的 25%。国内新能源车市场具备领先优势，随着渗透率的进一步提升以及汽车电子化程度的持续推进，国内车用 SiC 器件规模有望 快速突破。

多维度优势赋能车用 SiC 器件。SiC 功率器件在新能源汽车中展现出独特优势，其应用场景包括：电机驱动系统逆变器、电源转换系统（车载 DC／DC）、车载充电系统（OBC）及非车载充电桩 等。从材料来看，SiC 相对于硅材料拥有更高的击穿场强、更高的热导率以及更高的电子饱和漂 移速度；从电路损耗来看，在同等条件下，SiC 功率器件能大幅减小电路开关的能量损耗（下降 85%）；从设备空间来看，采用 SiC 功率器件的 DC/DC 转换器、车载充电机以及电机控制器分别 能加减小设备 20%、40%、64%的系统空间；从电池转化效率来看，集成了 SiC 器件的模块能帮 助系统提升 6%的电力转换效率。

众多新能源汽车厂商竞相布局 SiC 器件。2018 年，特斯拉的 Model 3 首次采用意法半导体和英飞 凌的 SiC 逆变器取代了 Si-IGBT，逆变器效率提升了 5-8%。2020 年，比亚迪将自主研发制造的 SiC MOSFET 功率器件搭载在汉 EV 四驱高性能版上，实现了 200KW 的输出功率，功率密度提 升一倍。预计到 2023 年，比亚迪将实现 SiC 基车用功率半导体对硅基 IGBT 的全面替代，将整车 性能在现有基础上再提升 10%。目前，已有多家厂商推出了面向 HEV/EV 等电动汽车充电器的SiC 功率器件。未来随着 SiC 器件在车载充电器、DC/DC 转换以及充电桩中渗透率提升，市场空 间有望快速扩大。

新能源车高电压平台大势所趋，SiC 器件彰显优势。近年来各车企纷纷通过提升功率来缓解新能 源汽车的续驶焦虑和充电焦虑，而功率的增加一般有两种路径，即提高电流或电压。然而，大电 流可能会导致较大的核心部件热损耗，因此高电压电气平台成为了首选。高电压平台要求电驱动 系统的耐压性也要随之提升，而硅基器件无法承载电压的大幅升高，故 SiC 应用将逐步替代硅基 IGBT 成为关键。相比之 IGBT，SiC 体积小、功率密度高、耐高压和高温能力强，可助力新能源 车实现更长的续航里程、更短的充电时间和更强的动力性能。

国内外车企纷纷布局 800V 高压平台，SiC 大规模车载应用可期。在相同功率下，800V 电压平台 较 400V 电压的电流减半，电池充电热量降低，且低成本、轻量化、EMC 干扰的降低，以及效率 和续航的提升，让充电补能体验大幅增强。2019 年保时捷 Taycan 推出全球首款 800V 高电压电 气架构，支持 350kw 大功率快充，15 分钟内电量可充到 80％。近年来比亚迪、奥迪、吉利、小 鹏等一众车企也纷纷开始布局800V高电压平台，预计各大车企基于800V高压平台方案将在2022 年之后陆续上市，SiC 作为 800V 平台架构的最佳拍档有望大放异彩。

800V 高压平台需要电源产品配套升级，充电桩等迎来发展良机。当动力电池电压平台升级到 800V，当前的 OBC、DC/DC 及充电桩等电源产品都需要从 400V 等级提升至符合 800V 电压平台 的应用，SiC 器件由于其优异的特性也将开始大规模的应用。以充电桩为例，800V 高压充电桩在 设计架构上区别于 400V 的重要特点是需要配置 SiC MOSFET，以达到更快的充电速度和更好的 器件耐压性。22 年 Wolfspeed 宣布参与搭载 SiC 技术的直流快速充电桩项目，总功率可达 350 kW，成本可降低 20-30%。国内车企也开始发力，广汽埃安于 2021 年 8 月发布 480kW 超级充电 桩，小鹏也宣布 22Q4 起部署 480kW 高压超充桩，实现充电 5 分钟续航 200 公里。

3.2、光伏产业快速发展，SiC应用未来可期

全球和国内光伏新增装机量快速增长，成长天花板被打开。根据 CPIA 预测，乐观情况下，全球 光伏年新增装机在 2022 年将首次突破 200GW，达到 225GW 的水平，到 25 年全球年新增装机将 达到 330GW，20-25 年光伏新增装机的复合增长率达 20%；2025 年我国新增装机规模将达到 110GW，相当于 2020 年底的 3.7 倍。

光伏逆变器出货量高速增长，IGBT 作为逆变器“心脏”作用凸显。光伏逆变器是光伏系统的核 心部件，可以将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电，并反馈回输电系统或供离网的电网使 用。根据 IHS Markit，近年来光伏产业的快速发展带动光伏逆变器市场规模快速提升，2020 年全 球光伏逆变器的市场规模为 136GW，2025 年将有望达到 401GW，20-25 年 CAGR 为 24%。光 伏逆变器成本结构方面，半导体器件和集成电路材料主要为 IGBT 元器件和 IC 半导体，其中以 IGBT 为主的半导体器件在驱动保护、过电流／短路保护、过温保护、机械故障保护等方面发挥巨 大作用，是逆变器的“心脏”，约占逆变器成本的 12％左右。

SiC 器件可有效提高光伏逆变器性能，有望逐步替代硅基 IGBT 成为逆变器核心。相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点， 并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。根据 SiC 芯观察数据， 采用 SiC 器件可有效提高光伏发电转换效率，光伏逆变器的转换效率可从硅基的 96%提升至 SiCMOSFET 的 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍。未来应用于光伏领域 的SiC逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。

国内光伏逆变器厂商加快布局，为 SiC 国产化提供历史性机遇。随着中国光伏装机量的增长，中 国本土厂商加快技术与产品升级，在全球已占据重要位置。在出货量排名前十的供应商中有六家 是中国供应商，其中华为以 23%的市占率位居榜首，国内逆变器厂商在全球逆变器市场中占据超 六成市场份额。未来随着新能源替代传统燃料进程加速，逆变器向高效率、高功率密度、高可靠 性等方向发展，SiC 器件有望受益于本土供应链优势，迎来发展良机。根据 SiC 芯观察数据显示， 2020 年 SiC 光伏逆变器占比为 10%，预计 2035 年占比将达到 75%，未来空间十分广阔。

3.3、SiC器件在轨道交通领域持续渗透

在大容量、轻量化和节能化要求下，轨道交通领域采用 SiC 大势所趋。随着轨道交通硅基功率器 件性能逐渐逼近理论极限，SiC 功率器件成为重点发展方向，以满足轨道交通系统对高功率密度、 低损耗和高可靠性等要求。与传统硅基 IGBT 牵引逆变器相比，全 SiC 牵引逆变器能耗能够降低 10%以上。2014 年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机 3300V/1500A 全 SiC 功率模块逆变器，开关损耗降低 55%，体积和重量减少 65%，电能损耗降低 20%～36%。根据 CASA 预 测，未来 30 年内，轨道交通应用中 90%的硅 IGBT 将被 SiC 器件或混合器件替代。Yole 数据显 示，铁路 SiC 市场将从 2019 年的 900 万美元增长到 2025 年的 1.18 亿美元，CAGR 达到 55%。

国内外厂商纷纷布局轨交系统 SiC 器件。2015 年，日本三菱公司推出了高性能平面栅 3.3kV SiC MOSFET 器件及全 SiC 模块产品，并在全世界首次将全 SiC 模块应用到轨道交通牵引变流系统 中。近年来随着新能源产业的蓬勃发展，SiC 加快渗透进入轨交领域。日本 N700S 新干线、西门 子 Velaro 列车等也大面积采用了 SiC 牵引系统，截至 2021 年 6 月，国内也已经有苏州三号线、 深圳地铁1号线等6条地铁线路采用了SiC技术。目前中国的时代电气、天岳先进，日本的东芝、 三菱、日立，以及欧美的 Wolfspeed、英飞凌，都已在发力轨道交通 SiC 产业链。我国高铁建设 目前已拥有世界领先水平，中国巨大的应用需求是国产 SiC 的“沃土”，国内厂商有望借助庞大 市场确立先发优势。

4、重点企业分析

4.1、三安光电：LED龙头，大力发展化合物半导体业务

三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、SiC、磷 化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司产品应用 广泛，包括照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传 感等领域。2018 年公司斥资 333 亿元建设福建泉州南安高新技术产业园区，投资 III-V 族化合物 半导体材料、LED 外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC 材料及器 件、特种封装等产业。三安光电已实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

三安光电在 SiC 下游市场已取得多点突破，并已实现对各细分应用市场标杆客户的稳定供货。1） SiC 二极管：在 2021 年新开拓送样客户超过 500 家，出货客户超过 200 家，超过 60 种产品已进 入量产阶段。并借助在欧美日韩等国家和地区的技术和销售布局，与国际标杆客户实现战略合作。a）已进入国内前 20 大客户：已进入 PFC 电源领域（维谛、比特、长城等）和光伏逆变器领域 （阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等）等客户的供应链。b）已实稳定供货：已对车载充 电机领域（威迈斯、比亚迪弗迪动力等）、家电领域（格力、长虹等）、充电桩及 UPS 领域（英 飞源、科华、英威腾、嘉盛等）各细分应用市场标杆客户稳定供货。

2)SiC MOSFET 工业级产品：已送样客户验证。3)SiC MOSFET 车规级产品：正配合多家车企做流片设计及测试，与新能源汽 车重点客户的合作已经取得重大突破。车和家（理想关联公司）与三安成立合资公司，车和家持 有合资公司 70%股权，三安持有 30%股权。

三安光电正致力于打造 SiC IDM 一体化平台，湖南项目陆续投产后将持续带动营收高增长。三安 光电2021年报披露，集成电路新建项目规划产能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安，电力电 子 SiC 配套产能扩充到 3 万片/月。其中，湖南三安项目包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，总占地面积约 1,000 亩，总建筑面积超 50 万平米，项目达产后，配套产能约 36 万片/年。

4.2、中微公司：正开发SiC专用MOCVD设备

中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司基于在半导体设备 制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 外延片生产、功率器 件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。1）等离子体刻蚀设备：已应用于国际一线 客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产 线。2）MOCVD 设备：在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的 氮化镓基 LED 设备制造商。截至 2022 年 6 月底，公司设备累计付运台数达 2654 个反应台，在 客户 73 条生产线全面量产。

中微公司积极布局SiC材料功率器件外延生长设备和技术研发，牵头人具有25年以上相关经验。根据公司公告，公司将总投资 37.56 亿元用于中微临港总部和研发中心项目，其中部分资金用于 公司 7 类新产品的研发项，其中一种就是宽禁带功率器件外延生长设备，主要包括 SiC 材料功率 器件的外延生长设备和技术的研发。该项目牵头人具有 25 年以上化合物半导体材料外延工艺开发、 设备研发及营运的经验。目前项目处于研究阶段，已拥有 10 余项专利技术储备，预计将持续至 2025 年底。

4.3、天岳先进：国内领先的SiC衬底企业

天岳先进主要从事 SiC 衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。凭借卓越的研发及创新能力，天岳先进已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型 SiC 衬底、 产品尺寸较全的 SiC衬底生产商。1）半绝缘型：在发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背 景下，公司自主研发出半绝缘型 SiC 衬底产品，实现了我国核心战略材料的自主可控。2）导电 型：公司已成功掌握导电型 SiC 衬底材料制备的技术和产业化能力。在优先保障半绝缘型 SiC 衬 底材料战略供应之余，进行导电型 SiC 衬底材料的研发和小批量销售，目前正在电力电子领域客 户中进行验证。

天岳先进半绝缘型产品已实现对国内下游核心客户的批量供货，并获得国外知名半导体公司认可。公司通过持续的技术研究和产品开发，于 2015 年实现了 4 英寸半绝缘型 SiC 衬底的量产能力。2018 年，公司通过下游行业主要的领先客户 A 的验证并开始批量供货。随后，公司又获得下游行 业主要客户 B 的认证，并获得大批量订单，国内市场份额进一步提升。根据 yole 报告统计，2021 年公司在半绝缘 SiC 衬底领域，市场占有率连续三年保持全球前三。

天岳先进导电型 SiC 衬底部分送样已陆续通过客户验证，正加快提升导电型衬底产能建设。2022 年 7 月，公司与某客户签署重大合同，23 年至 25 年向合同对方销售 6 英寸导电型 SiC 衬底产品 （用于功率），预计三年合计含税销售金额为 13.9 亿元。此外，2021 年公司募投资金 25 亿元用 于“SiC 半导体材料项目”。该项目主要用于生产 6 英寸导电型 SiC 衬底材料，预计 2022Q3 实现一 期项目投产，于 2026 年达产后，将新增 SiC 衬底材料产能约 30 万片/年，将用于满足下游电动汽 车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等 SiC 电力电子器件应用领域的广泛需求。未来， 产能的逐步投产将有助于天岳先进市场占有率的进一步提高。

4.4、闻泰科技：安世半导体SiC二极管产品已经出样

闻泰科技主营业务包括半导体 IDM、光学影像、通讯产品集成三大业务板块。目前已经形成从半 导体芯片设计、晶圆制造、封装测试、半导体设备，到光学影像、通讯终端、笔记本电脑、IoT、 服务器、汽车电子产品研发制造于一体的全产业链布局。旗下安世半导体是全球知名的半导体 IDM 公司，是原飞利浦半导体标准产品事业部，有 60 多年半导体研发和制造经验，客户超过 2.5 万个，产品种类超过 1.5 万种，每年新增 800 多种新产品，全部为车规级产品。

安世半导体 SiC 技术研发进展顺利，SiC 二极管产品已经出样。2021 年，闻泰科技半导体业务研 发投入 8.37 亿元，进一步加强了在中高压 MOSFET、化合物半导体 SiC 和 GaN 产品、IGBT 以 及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面，闻泰目前已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET)，已通过 AECQ 认证测试并实现量产，并协同产业合作伙伴完成了 GaN 在电动车逆变器、 电控、电源等方案的设计工作。SiC 技术研发也进展顺利，SiC 二极管产品已经出样 IGBT 产品方 面，目前产品流片已经完成，正处测试验证阶段。新的模拟 IC 类产品也正处在加速研发推进中。

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