格芯获得3000万美元政府基金研发GaN芯片

格芯获得3000万美元政府基金，在其佛蒙特州工厂研发GaN芯片。

10月18日消息，据报道，格芯获得3000万美元（约2.16亿元人民币）政府基金，在其佛蒙特州工厂研发GaN芯片。

据该公司称，这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。

转载：汽车电子应用网

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