近日，据报道，英特尔已经与中国台湾第二晶圆代工厂联电达成新的合作，联手开发先进制程3nm芯片。

双方将共同开发3nm工艺，目标是打造性能对标台积电3nm节点的制程技术。同时，双方也在推进12nm FinFET工艺平台的合作。目前，该工艺的设计套件预计2026年内交付客户，2027年初完成流片，当年底实现量产，主要面向物联网、Wi-Fi芯片等市场。

据悉，相关生产线主要落地于英特尔位于美国亚利桑那州的晶圆厂。

在合作中，英特尔将提供先进的制造能力、厂房设施及极紫外光刻机（EUV）等昂贵设备；联电则借助其在成熟工艺领域积累的丰富代工经验、客户资源及设计能力，重返先进制程赛道。

截至发稿，英特尔与联电均未就此传闻进行回应。

转载网站：大半导体产业网

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