最全统计：SiC项目104个，GaN项目43个
来源：创道硬科技

       由于SiC、GaN有着硅 Si 材料无法企及的优势，所以用这两款半导体材料制造的芯片可以承受更高的电压，输出更高能量密度，承受更高的工作环境温度。然而，受工艺、成本等因素限制，多年来仅限于小范围应用。

       而随着工艺进步、材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体逐渐打开应用市场空间，触角向5G基站、特高压、城际高铁交通、新能源充电桩、智能汽车、消费电子等关键领域延伸。

       根据光大证券研报，新能源汽车为SiC的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等，单车用量平均为0.5片6寸碳化硅，碳化硅晶片价格为7000元/片，单车碳化硅衬底价值量约3500元。根据IHS数据，2018年和2027年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和100亿美金，复合增速约40%。

       若按光大证券的估算，若车用碳化硅晶圆成功替代硅晶圆，平均两辆电动车需要一片6英寸碳化硅晶圆。

       以特斯拉为例，其一季度宣称6月底美国工厂Model 3及Model Y的年产能将达50万辆，上海厂计划年底产能50万辆，使其总产能规模近100万辆。也就是说，特斯拉一年平均约要50万片6英寸碳化硅。然而，有数据显示，目前全球碳化硅晶圆总年产能约在40-60万片。一家特斯拉便可以吃掉行业全部产能。

       旺盛需求下，我国第三代半导体行业发展风口已至。以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料，热度急剧上升。不完全统计，国内“已有+在建”碳化硅产线104条，GaN项目也达到了43个（统计截至2021年8月19日）。

      图表：SiC国内已有+在建产

图表：国内GaN产能统计

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