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美日再次领衔!第三代半导体碳化硅专利排名曝光

发布时间:2021-10-13发布人:

美日再次领衔!第三代半导体碳化硅专利排名曝光

来源:中关村在线


       芯研所消息,随着第三代半导体的日渐成熟,关于技术专利的分布情况,到底又是什么态势呢?


       近日能够有助延长电动车续航力的第三代关键半导体材料碳化硅(SiC)专利技术排名,正式公布。

 


       据悉该项技术依旧由美日厂商所主导,并占据了专利数量占据前五名,最多的是美企Wolfspeed(前身为科锐CREE),之后全由日企拿下,日本芯片制造商Rohm 第二名,之后依序是住友电工、三菱电机和Denso。


       SiC 比芯片产业主流材料硅更硬,性能更稳定, 整体来看,碳化硅的耐高压能力是硅的10倍、耐高温能力是硅的2倍、高频能力是硅的2倍。SiC还有助节能,加上特斯拉率先将SiC 芯片用在量产车,有助推动SiC 材料需求,且在电动车或太阳能产业等领域更普及。

      
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