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第三代半导体发展驶向快车道-SiC发展得衬底者得天下

发布时间:2021-10-15发布人:

第三代半导体发展驶向快车道-SiC发展得衬底者得天下

来源:爱集微


       集微咨询认为,当前,在全球推进“碳达峰”、实现“碳中和”的趋势浪潮下,第三代化合物半导体正在加速发展。而以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一。

 

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