扩大功率半导体产能，全球再添一座12英寸晶圆厂

全球半导体观察       

近日，东芝电子元件及存储装置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，将在日本石川县的主要分立半导体生产基地（加贺东芝电子公司）建造一座新的300毫米晶圆制造工厂，用于生产功率半导体。

据介绍，该晶圆厂的建设将分两个阶段进行，其中第一阶段的生产计划于2024财年开始。当第一阶段达到满负荷时，旗下功率半导体产能将是2021财年的2.5倍（ 200和300毫米晶圆制造能力的总和，相当于200毫米）。

功率器件是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化的需求正在扩大，对低压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管） 等器件的需求非常旺盛。

目前，东芝通过提高200毫米生产线的产能，并将300毫米生产线投产时间从2023财年上半年提前至2022财年下半年，满足持续扩产需求。

东芝表示，未来将通过及时的投资和研发来扩大其功率半导体业务并提高竞争力，使其能够应对快速增长的需求，并为低能耗社会和碳中和做出贡献。

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