动态 | 中电科二所碳化硅芯片研制成功

碳化硅芯观察 2022-02-25 18:22

2月25日下午，中国电子科技集团第二研究所对外宣布：山西省第一片碳化硅芯片研制成功。

2021年9月，中国电科二所承担山西太原某实验室6英寸SiC芯片整线系统集成项目，该项目要求四个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试，并流出第一片芯片。

时间紧，任务重！二所凭借自身行业影响力和资源调配能力，在一个月之内完成所需全部设备技术评估与选型，所有商务流程合规操作；设备移入阶段正赶上国庆假期又恰逢太原市连日降雨、气温骤降，为了不耽误项目进度，项目团队放弃休息，在保证人员及设备安全的前提下连夜冒雨作业，每天夜晚卸货、搬运、拆包，白天安装就位，连续奋战，一个月之内完成设备移入。

为按时间节点完成流片任务，项目团队苦干巧干拼命干，坚定信心高质量打赢项目攻坚战，各工艺段负责人平均每天工作16个小时，各设备负责人轮流坚守岗位，以踔厉奋发、笃行不怠的精神，为生产保驾护航。最终于水、电、气等配套条件完成后30日内，完成单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试并成功产出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度创造了国内第一！

碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，可有效突破传统硅基材料的物理极限，广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域，成为我国重点发展的战略性先进半导体，对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。

这款碳化硅芯片是落实山西省“十四五”规划将半导体产业打造成新支柱产业取得的阶段性重大成果，是太原市向半导体领域转型发展道路上的一个里程碑。行百里者半九十，接下来的任务还很艰巨，需进一步优化设计和工艺流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指标、提高良品率，实现规模化生产。

声明：本文版权归原作者所有，转发仅为更大范围传播，若有异议请联系我们修改或删除：zhangkai@cgbtek.com