沟槽SiC MOS将量产！这家企业投资超9亿扩产
前段时间，日立Astemo获得了本田汽车的SiC电驱系统订单，最近，日立加快了SiC功率半导体扩产计划——将投资超过9亿元，将产能提高3倍，并将量产沟槽型SiC MOS，营收要提升30倍。
10月4日，日媒Nikkan报道称，日立功率器件株式会社将投资数百亿日元，计划到2026财年将SiC功率半导体产能提高3倍。100亿日元约为4.9亿人民币，照此计算，日立的投资金额至少超过9亿元人民币，而这些投资将用于增加晶圆代工厂的制造产能，并在他们的临海工厂新增前端工艺设施。
目前，日立功率器件公司在临海工厂生产以铁路为主的SiC功率半导体，前段工序在临海工厂，后段工序在山梨工厂生产。报道还提到，日立计划将于2025财年下半年开始量产TED-MOS结构SiC MOSFET。他们宣称这是全球最节能的沟槽型SiC MOS——其电场强度比传统的DMOSFET低40％，电阻低25％，还具有1.2 kV的额定工作电压，同时，由于开关速度更快，能量损耗也降低了50％。据介绍，日立2021年开始提供TED-MOS样品，预计在2023年开始样品出货，并在2025财年前开始量产具有更高性能的下一代产品。对于该结构，日立非常有信心，并提出了一个“大目标”——2030年要将碳化硅半导体的销售额提高至17.8亿人民币，达到2019年度的30倍。除上述提到的TED-MOS之外，日立还开发了一款全碳化硅模块，功耗可降低30%。
2021年12月，日立功率半导体宣布，他们已经开发出耐压为1.7 KV 的全碳化硅模块，适用于铁路车辆和可再生能源发电系统。通常，全SiC模块是由SiC SBD和SiC MOSFET组成。但据日立功率器件介绍，他们的全SiC模块产品不包含SiC SBD，只采用了SiC MOSFET，电感低至10nH。同时，通过将辅助栅极电阻与 MOSFET 的栅极串联，成功将开关损耗降低了约30%。日立功率器件表示，碳化硅芯片的正下方是热应力最强的地方。通过在这部分采用烧结铜，增加了接头的强度，也提高了模块的耐用性。转载微信公众号：GaN世界
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