把碳化硅衬底推向国际，三安光电在行动！

近日，三安光电在互动平台表示，公司全资子公司湖南三安的碳化硅衬底已向多家国际大厂送样验证，已获得客户的验证通过并实现销售。

据悉，湖南三安主要从事碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物半导体的研发及产业化，投资总额160亿元(含土地使用权和流动资金)，项目达产后配套产能约36万片/年。截止2022年6月末，湖南三安已到产能6000片/月。

碳化硅衬底是制造碳化硅器件最基础的材料，也是发展SiC的关键，没有碳化硅衬底就无法制造出碳化硅器件。目前，以衬底和外延为主的碳化硅材料占据了整个碳化硅产业链近70%的价值量，其中衬底价值量占比接近50%。

有业内人士称，碳化硅衬底的成本和产量将长期成为第三代半导体行业的关键竞争核心。

TrendForce集邦咨询表示，相较传统Si base，第三代功率半导体衬底制造难度较高且成本较为昂贵，目前在各大衬底供应商的开发下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能，并将在2022下半年量产8吋衬底，预期第三代功率半导体未来几年产值仍有成长的空间。

近年来，三安光电在碳化硅领域发展提速。日前，湖南三安宣布于近日顺利取得IATF 16949汽车行业质量管理体系认证证书。这标志着湖南三安顺利取得进入汽车供应链的金钥匙。

今年7月，湖南三安半导体项目二期项目工程正式开工。项目总投资80亿元，预计将于今年内建成投产。主要建设具有自主知识产权，以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。

2022年上半年，湖南三安实现营收2.09亿元，并且成功盈利净利润9046万元。由此可见，SiC产品已经成为三安光电的利润增长点。（文：化合物半导体市场 Doris整理）

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