8月26日，据盛美半导体设备公司（以下简称“盛美半导体”）官微消息，盛美半导体发布新产品——Ultra ECP GIII电镀设备，以支持化合物半导体(SiC,GaN)和砷化镓(GaAs)晶圆级封装。

       盛美半导体称，这是首台应用于化合物半导体制造中晶圆级封装和电镀应用的电镀设备。

图片来源：盛美半导体官微

       据官微介绍，该系列设备能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII配备全自动平台，支持6英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时结合盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。

       盛美半导体的Ultra ECP GIII设备通过两项技术来实现性能优势：盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布差异造成的问题，以实现卓越的均匀性控制。可应用于优化晶圆边缘区域图形和V型槽区域，实现3%以内的电镀均匀性。

       据披露，盛美半导体的Ultra ECP GIII已取得来自中国化合物半导体制造商的两个订单。第一台订单设备采用第二阳极技术的铜-镍-锡-镀银模块，且集成真空预湿腔体和后道清洗腔体，应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单设备适用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。
 
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