外媒：三星将在5月初为NAND闪存生产安装晶圆厂设备

据外媒TheElec 4月19日报道，三星计划于5月初在其平泽工厂的新晶圆厂P3上安装晶圆厂设备。

TheElec引述消息人士称，三星将首先在5月第一周为NAND闪存生产安装晶圆厂设备。另外，P3厂区将先建造NAND闪存生产线，然后是DRAM和晶圆代工。

据了解，三星P3厂区是三星平泽厂区的第三座芯片工厂，是一个综合生产基地，同时运营存储器和晶圆代工生产线。P3厂区面积为70万平方米，是P2厂区面积的1.7倍。

报道称，当P3下个月开始量产时，将占用平泽工厂6块工厂用地中的3块。三星预计将在P3之后在平泽建造P4，同时计划在美国建造另一座20万亿韩元的代工工厂。

从2017年开始，三星在韩国平泽一期工厂一楼进行64层NAND的生产。2018年，三星在其二楼增设了DRAM产线。

同年，三星在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂（P2），用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。新工厂P2总投资额约30万亿韩元，就在距离平泽工厂不远处。

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