工信部电子五所牵头起草的《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准已形成委员会草2022年7月18日，由工信部电子五所牵头起草的《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态...
北京大学彭海琳课题组在二维半导体超薄单晶栅介质研究中取得重要进展随着集成电路芯片向亚3纳米技术节点迈进，晶体管中关键尺寸不断微缩，带来更高的开关速度和集成度，但也会导致短沟道效应，严重影响晶体管性能...
SEMI：2022年半导体材料市场将增长8.6%至近700亿美元集微网消息，9月6日，据DIGITIMES报道，SEMI中国台湾总裁兼该协会全球首席营销官Terry Tsao在一份新闻稿中援引SEMI的报告称，2022年整个半导体材料市场规模可...
TCL中环旗下中环领先天津半导体基地投产 天津先进半导体材料研究院在滨海新区揭牌成立津滨网讯（记者 牛婧文）9月15日，TCL中环旗下中环领先天津半导体基地投产暨天津先进半导体材料研究院揭牌仪式在天津滨海高新...
我国在下一代光电芯片制造领域取得重大突破14日夜，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极...
复旦科技园集成电路融创中心成立9月17日，复旦科技园集成电路融创中心（简称“复创芯”）成立仪式在复旦大学国家大学科技园成功举行。中国科学院院士、复旦大学光电研究院院长褚君浩寄语道：“现在芯片产业发展迅速...
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