碳化硅介绍碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料(Si),碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压...
碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工,包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延;第二部分芯片加工,这部分跟硅基IGBT类似。第一部分,晶圆加工首先,以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC,通过物理气相传...
以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展在新能源汽车等领域风头正劲之时,一种更耐高温耐高压、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半导体材料——氧化镓走进业界视线。短短4-5年时间,氧化镓已经出现了高质量的衬...
一、什么是碳化硅(SiC)?碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材...
随着数字化、智能化的时代到来,半导体行业的热度不断高涨。尤其是量子信息和人工智能等高科技领域的快速发展,推动了半导体以及多功能器件技术的快速更新和迭代。为适应高性能、低成本的要求,业界将目光投向了...
冬至节气,时至岁末,天寒地冷,却温暖可期。
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