随着数字化、智能化的时代到来,半导体行业的热度不断高涨。尤其是量子信息和人工智能等高科技领域的快速发展,推动了半导体以及多功能器件技术的快速更新和迭代。为适应高性能、低成本的要求,业界将目光投向了...
冬至节气,时至岁末,天寒地冷,却温暖可期。
近日河北省省长王正谱在廊坊北三县调研,同时莅临CGB,深入了解企业的发展状况和科技创新成果。在华林嘉业总经理的带领下,一行人参观了企业展厅及生产车间,耿总详细介绍了我司的产品线、设备用途、科技创新成果...
近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化...
一、氮化嫁(GaN)定义氮化镓材料定义:氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是研制微电子器件、光电子器件的新...
第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会 暨第三代半导体产业融合创新发展论坛于2023.11.23-25在广州召开,我司出席此次会议,展位号为:B21,欢迎新老朋友莅临交流。 &nb...
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