碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以...
半导体设备是产业发展和创新的基石，一代设备、一代工艺、一代产品。一条半导体生产线设备总投资约占总投资的70%至80%。半导体设备对信息产业有着成千上万倍的放大作用。半导体设备年产值几百亿美金，支撑的是年...
今天我们要聊聊芯片制造中的一个重要环节——清洗。你可能会想，芯片不是在无尘室里做的吗？怎么还会有污染呢？其实，芯片制造过程中需要用到各种化学物质和机械操作，这些都会在晶圆表面留下杂质。 ...
半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着下游应用场景提出更高要求，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。SiC性能碳化硅SiC具有200多种晶型，以其...
摘要碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特 性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法...
下一代功率器件关键技术：碳化硅近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导 体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速 膨胀成为了半导...
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