北京大学彭海琳课题组在二维半导体超薄单晶栅介质研究中取得重要进展随着集成电路芯片向亚3纳米技术节点迈进，晶体管中关键尺寸不断微缩，带来更高的开关速度和集成度，但也会导致短沟道效应，严重影响晶体管性能...
我国科学家首次获得纳米级光雕刻三维结构9月14日，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极...
一图读懂十年来我国新一代信息技术产业发展成就工业和信息化部今日举行“新时代工业和信息化发展”系列新闻发布会第九场，主题是“大力发展新一代信息技术产业”，介绍了党的十八大以来新一代信息技术产业取得的主要...
安森美在捷克共和国扩建碳化硅工厂安森美庆祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化硅 (以下简称“SiC”) 工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyněk Pokorný、兹林州州长Radim Holiš和市长Jiří Pavlica以及当地其...
人民日报、中央电视台等媒体缘何关注55所第三代半导体进展7月7日，人民日报《党建聚合力 科技攀高峰》报道了55所以党建引领推动第三代半导体发展的典型做法；9月19日，央视《非凡十年看名企》专题报道了55所SiC器...
持续强化的技术布局——比亚迪半导体封测厂QFN、LQFP定制化服务半导体产业已经进入后摩尔定律时代，芯片特征尺寸已经接近物理极限，封测中道的崛起已成为延续摩尔定律的必然选择。随着物联网时代的到来，电子产品对...
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